各有關單位：

　　按照廣東省發展改革委通知要求，現圍繞我市半導體及集成電路領域發展需求，組織開展首批廣東省工程研究中心申報。有關事項通知如下：

　　一、申報基本條件

　　（1）申報單位應從事相關產業領域的技術研發，具備良好的產學研合作基礎；擁有一批能夠帶動產業發展的高水平技術研發成果和技術儲備，部分成果已成功實現產業化；能為省工程研究中心的建設和運行提供資金支持。

　　（2）工程研究中心建設項目要有明確可行的發展思路、研發任務和建設目標；建設方案合理，管理和運行機制規范；項目要有新增固定資產投資（建筑工程或新購置設備），建設期一般不超過3年。

　　（3）在本行業具有較強的影響力，研發人員總數不少于50人，其中專職研發人員不少于30人。

　　（4）研發設備原值：設計類不少于1000萬元，制造類不少于3000萬元，

　　（5）研發場地不少于2000平方米。

　　（6）主持（承擔）過省級以上科研計劃或主持（參與）過行業標準制定。

　　（7）在深圳市發改委不存在逾期未驗收的已獲資助項目。

　　（8）已在市發改委獲批市級工程研究中心的，本次不得申報同一領域的省級工程研究中心。

　　二、申報領域

　　重點資助半導體及集成電路以下領域：

　　1.芯片設計。（1）圍繞高端芯片研發設計需要，建設芯片設計工具軟件研發和測試平臺，開展數字電路EDA工具核心技術攻關，推動模擬或數模混合電路EDA工具軟件實現設計全覆蓋，開展EDA云上架構和應用AI技術研發，開展TCAD、封裝EDA工具開發，以及底層算法與機構技術的研發，提升自主研發工具軟件國產化水平，增強對高端芯片設計的服務功能。（2）面向重點領域高端通用芯片的市場需求，建設芯片設計研發、模擬仿真和測試平臺，開展射頻芯片（含毫米波芯片）、第三代半導體芯片、傳感器芯片、基帶芯片、光通信芯片、顯示驅動芯片、物聯網智能硬件核心芯片、車規級AI芯片等專用芯片設計，探索開展太赫茲芯片研發，提升高端芯片設計能力和工程化驗證能力。

　　2.芯片工藝制程。圍繞高端芯片生產制造關鍵環節問題，建設芯片生產制造關鍵技術研發、中試和測試平臺，開展FinFET特色工藝制程、先進工藝制程開發，探索FDSOI等新技術路徑開發，提升芯片生產制造技術水平，滿足射頻芯片、顯示驅動等產品生產制造需求。

　　3.先進封裝測試。圍繞提升芯片封裝測試競爭力，建設先進封裝測試研發和工程化驗證平臺，開展晶圓級封裝、系統級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進封裝技術，以及脈沖序列測試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術開發，開展超高速光通信核心器件與模塊封測技術開發，為封裝測試工藝技術升級和產能提升提供重要研發平臺支撐。

　　4.關鍵材料與器件。針對半導體及集成電路產業關鍵材料及器件薄弱環節，建設關鍵材料與器件研發及工程化驗證平臺，開展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導體材料以及化合物半導體器件和模塊的開發，開展氟聚酰亞胺、光刻膠等電子化學品材料以及納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體等元器件關鍵材料研發，著力提升關鍵材料與器件在芯片生產制造中的市場應用水平。

　　5.關鍵裝備與零部件。針對芯片生產制造中關鍵設備及零部件短板問題，建設芯片生產制造關鍵設備及零部件研發及工程化驗證平臺，開展光學和電子束光刻機關鍵部件、先進封裝技術專用設備研發，開展缺陷檢測設備、激光加工設備、半導體器件巨量組裝設備等整機設備研發，以及高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭等設備關鍵零部件研發，推動關鍵設備及零部件在芯片生產制造中的應用。（咨詢電話：88127158,88103359）

　　6.前沿技術綜合創新。面向半導體及集成電路產業未來發展趨勢，建設新一代半導體及集成電路綜合研發平臺，圍繞工具軟件、芯片架構、芯片設計、特色工藝制程、半導體新材料、生產設備核心部件等環節，開展關鍵核心技術攻關，積極開展混合集成、異構集成等技術研發，加強多種技術路線探索，加速先進適用技術在半導體及集成電路產業領域的產業化應用。

　　三、申報方式

　　1.項目單位需編制完成資金申請報告（參見附件1）和項目基本信息表（參見附件2、附件3），壓縮打包命名為“XX公司-XX方向-省工程研究中心申報”（如：甲公司-1.芯片設計-省工程研究中心申報）,郵件發送至gjsc@fgw.sz.gov.cn。

　　2.請申報單位提前在區（新區）發展改革部門做好項目備案或核準工作。在線登錄廣東省政務服務網（深圳市），選擇申報單位所在相應的區，進行“企業投資項目備案”。備案證書作為附件編入資金申請報告文件。

　　3.申報單位對申報材料真實性負責，并出具承諾書作為附件編入資金申請報告（附件3）。

　　4.申報時間為2020年7月31日至8月9日，逾期不再受理。

　　深圳市發展和改革委員會

　　2020年7月31日